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        拋光技術,蘇州拋光

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        拋光技術

        發布時間 : 2018-08-06 13:29:54      訪問量 : 4779次

          最初的半導體基片(襯底片)拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等,但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末,一種新的拋光技術——化學機械拋光技術(CMPChemicalMechanicalPolishing)取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優勢:


          單純的化學拋光,拋光速率較快,表面光潔度高,損傷低,完美性好,壓力容器拋光但表面平整度和平行度差,拋光后表面一致性差;


          單純的機械拋光表面一致性好,表面平整度高,但表面光潔度差,損傷層深。

        蘇州拋光加工

        蘇州拋光加工

          化學機械拋光可以獲得較為完美的表面,又可以得到較高的拋光速率,得到的平整度比其他方法高兩個數量級,是目前能夠實現全局平面化的唯一有效方法。依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等,對硅單晶片化學機械拋光(CMP)機理、動力學控制過程和影響因素研究標明,化學機械拋光是一個復雜的多相反應,它存在著兩個動力學過程:(1)拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。(2)拋光表面反應物脫離硅單晶表面,即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。壓力容器拋光硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程,要獲得質量好的拋光片,必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用,則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用,則表面產生高損傷層。


          以上信息由蘇州拋光加工提供,了解更多內容請登錄http://www.www.cooospace.com/


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